供應德國si-mat矽晶圓—赫爾納貿易

供應德國si-mat矽晶圓，貨期短，支持選型，為(wei) 您提供一對一解決(jue) 方案，在中國設有8個(ge) 辦事處，可為(wei) 您提供售前、售中和售後服務。

si-mat矽晶圓介紹：

si-mat 是一家專(zhuan) 注於(yu) 矽晶圓供應的企業(ye) ，與(yu) 多家國際主流矽晶圓製造商合作，為(wei) 用戶提供多樣化的矽晶圓產(chan) 品。公司依托長期穩定的合作夥(huo) 伴網絡，能夠根據客戶需求提供定製化矽片解決(jue) 方案，涵蓋從(cong) 標準規格到特殊要求的各類晶圓。

si-mat矽晶圓主要產(chan) 品
si-mat供應的矽晶圓主要包括以下幾類：

標準矽晶圓（直徑從(cong) 50.8毫米至300毫米）

定製化矽晶圓

采用浮區法（FZ）工藝的矽晶圓

采用直拉法（CZ）工藝的矽晶圓

正片（Prime Wafers）

測試片（Test Wafers）

再生片（Reclaim Wafers）

si-mat矽晶圓主要型號
根據SEMI國際標準，si-mat 提供的常見標準矽晶圓型號包括：

2英寸標準晶圓：CZ工藝，50.8毫米直徑，厚度280微米，P型/硼摻雜，晶向<100>，電阻率1-30歐姆·厘米，表麵為(wei) 單麵拋光（SSP），單平邊

4英寸標準晶圓：CZ工藝，100毫米直徑，厚度525微米，P型/硼或N型/磷摻雜，晶向<100>，電阻率1-30歐姆·厘米，單麵拋光，雙平邊

6英寸標準晶圓：CZ工藝，150毫米直徑，厚度675微米，P型/硼或N型/磷摻雜，晶向<100>，電阻率1-30歐姆·厘米，單麵拋光，雙平邊

8英寸標準晶圓：CZ工藝，200毫米直徑，厚度725微米，P型/硼摻雜，晶向<100>，電阻率1-5歐姆·厘米，單麵拋光，notch

12英寸標準晶圓：CZ工藝，300毫米直徑，厚度775微米，P型/硼摻雜，晶向<100>，電阻率1-100歐姆·厘米，雙麵拋光（DSP），notch

si-mat矽晶圓產(chan) 品介紹
si-mat 提供的矽晶圓以單晶矽為(wei) 基礎材料，主要通過直拉法（CZ）和浮區法（FZ）兩(liang) 種工藝製備。直拉法通過將矽晶體(ti) 從(cong) 熔融矽中緩慢拉出形成單晶，浮區法通過局部熔化和再結晶過程獲得矽晶棒。兩(liang) 種工藝均可實現特定的晶向和摻雜分布。產(chan) 品涵蓋從(cong) 2英寸到12英寸的直徑範圍，厚度從(cong) 280微米至775微米不等，電阻率範圍較寬，並可根據需要提供單麵拋光或雙麵拋光等不同表麵處理。

si-mat矽晶圓優(you) 勢特點

規格多樣：可提供從(cong) 標準尺寸到定製尺寸的矽晶圓，並能根據用戶需求調整參數。

供應穩定：依托庫存體(ti) 係，能夠較快提供50.8毫米至300毫米直徑的晶圓，減少供應中斷。

工藝齊全：同時提供直拉法和浮區法兩(liang) 種主流工藝的晶圓，適應不同性能需求。

產(chan) 品分層：提供正片、測試片、再生片等多種等級，滿足生產(chan) 、研發、測試等不同用途。

支持定製：擁有超過20年的定製經驗，可與(yu) 合作夥(huo) 伴共同實現客戶對參數、表麵狀態等方麵的具體(ti) 要求。

si-mat矽晶圓應用領域

半導體(ti) 製造：用於(yu) 生產(chan) 集成電路、存儲(chu) 芯片、邏輯電路等。

微處理器與(yu) 微控製器：作為(wei) 計算機、智能手機等設備中核心芯片的基板材料。

光電子與(yu) 傳(chuan) 感器：用於(yu) 製造圖像傳(chuan) 感器、光學組件及各類傳(chuan) 感元件。

微機電係統（MEMS）：作為(wei) 傳(chuan) 感器、執行器等微型機械係統的襯底。

科研與(yu) 測試：為(wei) 新材料、新工藝的研發提供測試載體(ti) 。

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